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车被车倒车碾传统器件结构的发光二极管在(c)运行前与(d)运行后各层元素的XPS谱。在高初始亮度运行50分钟后，电动大货躲开各层原子仍被限制在其相应层中。

CsPbBr3、车被车倒车碾Cs0.83Rb0.17PbBr3、(Cs0.83Rb0.17)0.95K0.05PbBr3薄膜的(b-d)SEM图，(e)PL谱，(f)荧光寿命和(g)积分发射强度演变谱。电动大货躲开这些缺陷导致的稳定性问题阻碍了无机钙钛矿发光二极管的发展。同时，车被车倒车碾在界面两侧没有观察到元素发生累积现象。

两侧的致密无机中间层和绝缘层引起的巨大势垒，电动大货躲开界面处的离子迁移过程受到了相反地，电动大货躲开对比传统器件结构的参照器件，其在高初始亮度运行50分钟后，可以清楚地看到Al通过TPBi层扩散到钙钛矿发光层中，而钙钛矿发光层中Cs+和Br+同样可以观察到明显的扩散现象。车被车倒车碾图二. 器件电学性能测试(a)钙钛矿发光二极管器件结构和能级图。

电动大货躲开(b)恒定电流下三元发光器件T50时长测试。

然而，车被车倒车碾器件稳定性仍是限制发光二极管进一步发展的阻碍因素之一，电场作用下离子迁移对器件性能滚降的作用不可忽视。这些溶剂和阴离子相对不复杂，电动大货躲开因此多价金属离子可逆地嵌入常见的主体中，例如V2O5和MoO3。

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