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领跑b）电荷注入a-Ga2O3薄膜的示意图。盘点e,f）退火a-Ga2O3薄膜（e）沿（c）中黄色箭头线从上到下和（f）沿（d）中红色箭头线从左到右的原子比率的EDS数据。

【小结】综上所述，光电团队通过创新的后退火工艺，展示了超高性能的MSMa-Ga2O3日盲光电探测器。

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